烜芯微生產80N04B場效應管,提供80N04B的參數規格書,80N04B中文資料與80N04B場效應管的引腳圖

80N04B場效應管參數具體如下：

極性：N溝道

Power Dissipation(w)功耗：114W

Continuous Drain Current ID(A)持續漏極電流：80A

Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓：40V

Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓：±20V

Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓：1.3V~ 2.5V

Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=30A,VGS=10V：Typ 5.4mΩ Max 7mΩ

Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ 8.1mΩ Max 10.5mΩ

Junction and Storage Temperature Range ：結和儲存溫度范圍：-55 to 150℃

80N04B場效應管封裝為：TO-252

作用與應用

80N04B場效應管的核心作用是作為電子開關使用。在電路中，它通過控制柵極電壓來調節漏源路徑上的電流流動，實現對負載的精確控制。80N04B廣泛應用于以下領域：

電源管理：80N04B可用作低壓降開關，用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。

信號放大：在音頻放大器和低頻放大器中，80N04B可以作為信號放大的關鍵部件。

開關控制：在各種開關電路中，如LED燈控制、電機控制等，80N04B能提供高效的開關控制功能。

模擬開關：在模擬電路中，80N04B可以作為開關管，用于模擬信號的控制和處理。

充電管理：在移動設備和電動車等充電管理系統中，80N04B用于充電過程中的電池保護和充電控制。

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