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      6. mos管漏電流產(chǎn)生的原因與如何解決介紹
        • 發(fā)布時間:2024-05-27 19:46:05
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        mos管漏電流產(chǎn)生的原因與如何解決介紹
        反向偏置pn結(jié)漏電流
        MOS晶體管中的漏極/源極和基板結(jié)在晶體管工作期間反向偏置。這會導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴散以及雪崩效應(yīng)引起的電子-空穴對的產(chǎn)生。pn結(jié)反向偏置漏電流取決于摻雜濃度和結(jié)面積。
        對于漏極/源極和襯底區(qū)域的重?fù)诫spn結(jié),帶間隧穿(BTBT)效應(yīng)主導(dǎo)反向偏置漏電流。在帶間隧穿中,電子直接從p區(qū)的價帶隧穿到n區(qū)的導(dǎo)帶。BTBT對于大于10的電場可見6 V/厘米。
        mos管漏電流
        解決方法:
        在MOSFET的反向電路中添加一個反向電流抑制電路,有效地減小反向漏電流的大小。反向漏電流隨著結(jié)溫的上升呈指數(shù)規(guī)律增加。控制MOSFET的結(jié)溫可以減小反向漏電流的大小。
        襯底漏電
        襯底漏電:襯底漏電是由于襯底和其他電極之間的電場引起的泄漏電流。襯底漏電與襯底與源極之間的電場強度、電子遷移率和器件尺寸有關(guān)。
        解決方法:加強襯底與其他電極之間的絕緣以減小電場影響。
        亞閾值泄漏電流
        當(dāng)柵極電壓小于閾值(Vth)但大于零時,晶體管被認(rèn)為在亞閾值或弱反轉(zhuǎn)區(qū)中被偏置。在弱反轉(zhuǎn)中,少數(shù)載流子的濃度很小,但不是零。在|VDS|典型值>0.1V的情況下,整個電壓降發(fā)生在漏極-襯底pn結(jié)處。
        平行于漏極和源極之間的Si-SiO接觸的電場分量是最小的。由于電場較小,漂移電流較低,亞閾值電流主要是擴散電流。
        漏極引起的勢壘降低(DIBL)是亞閾值漏電流的主要原因。漏極和源極的耗盡區(qū)在短溝道器件中相互作用以降低源極勢壘。亞閾值泄漏電流源自于將電荷載流子注入溝道表面的源極。
        DIBL在高漏極電壓和短溝道器件中是明顯的。
        MOS器件的閾值電壓隨著溝道長度的減小而下降。V th滾降是對這種現(xiàn)象(或閾值電壓滾降)的命名。短溝道器件中的漏極和源極耗盡區(qū)進一步延伸到溝道長度中,耗盡溝道的一部分。
        因此,反轉(zhuǎn)溝道需要較低的柵極電壓,從而降低閾值電壓。這種效應(yīng)在較高的漏極電壓下更為明顯。因為亞閾值電流與閾值電壓成反比,所以降低閾值電壓會增加亞閾值泄漏電流。
        泄漏電流也受到溫度的影響。閾值電壓隨著溫度的升高而下降。換句話說,隨著溫度的升高,亞閾值電流也會升高。
        解決方法:通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)來減小亞閾值漏電。
        隧穿柵極氧化物泄漏電流
        薄柵極氧化物在短溝道器件中的SiO層上提供大的電場。當(dāng)氧化物厚度較低且電場較高時,電子從襯底隧穿到柵極,并從柵極穿過柵極氧化物隧穿到襯底,從而產(chǎn)生柵極-氧化物隧穿電流。
        mos管漏電流
        由于從襯底到柵極氧化物的熱載流子注入而導(dǎo)致的漏電流
        襯底-氧化物界面附近的高電場激發(fā)電子或空穴,這些電子或空穴穿過襯底-氧化物接口并進入短溝道器件中的氧化物層。熱載流子注入就是這種現(xiàn)象的術(shù)語。
        mos管漏電流
        電子比空穴更容易受到這種現(xiàn)象的影響。這是由于電子比空穴具有更低的有效質(zhì)量和更低的勢壘高度。
        柵極感應(yīng)漏極壓降(GIDL)引起的漏電流
        以具有p型襯底的NMOS晶體管為例。當(dāng)柵極端子處存在負(fù)電壓時,正電荷僅在氧化物襯底界面處建立。由于空穴積聚在襯底上,表面表現(xiàn)為比襯底更強的摻雜p區(qū)。
        結(jié)果,沿著漏極-襯底接觸的耗盡區(qū)在表面附近更?。ㄅc本體中的耗盡區(qū)的厚度相比)。
        mos管漏電流
        雪崩和帶間隧道效應(yīng)是由于薄的耗盡區(qū)和較大的電場而發(fā)生的。結(jié)果,在柵極下方的漏極區(qū)域中產(chǎn)生少數(shù)載流子,并且負(fù)柵極電壓將它們推入襯底。泄漏電流因此而上升。
        穿孔效應(yīng)引起的泄漏電流
        因為在短溝道器件中,漏極和源極靠近在一起,所以兩個端子的耗盡區(qū)會聚并最終重疊。據(jù)說在這種情況下發(fā)生了“滲透”。
        對于大多數(shù)來自源的載流子,穿透效應(yīng)降低了勢壘。因此,進入襯底的載流子的數(shù)量增加。漏極收集其中一些載流子,而其余載流子產(chǎn)生漏電流。
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