MOS管驅(qū)動電路
常用的MOS管驅(qū)動電路結構如下所示：驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后，經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給mos管驅(qū)動。
mos管驅(qū)動芯片
MOSFET驅(qū)動芯片如TC4420來驅(qū)動MOS管，這類的芯片一般有很大的瞬間輸出電流，而且還兼容TTL電平輸入，MOSFET驅(qū)動芯片的內(nèi)部結構如下：
mos管驅(qū)動芯片選型
驅(qū)動芯片的存在主要是為了開通MOS管，為了提供MOS管開通所需要的電壓，需要自舉升壓電路，驅(qū)動芯片的意義正是自舉升壓相關的一些電路。
驅(qū)動芯片簡單而言就是把單片機產(chǎn)生的PWM波形進行放大輸入到MOS管的柵極G，從而達到開通關斷MOS管的目的。
下表列出了驅(qū)動芯片選型時需要關注的主要參數(shù)：
對于拉灌電流能力這一參數(shù)需要進一步解釋，從等效層面上講，MOS管的各極之間都存在寄生電容，MOS開通的過程就是對極間電容充電的過程，如圖所示為MOS管極間電容的示意圖，所謂灌電流就是將電流灌進G極使得MOS開通，拉電流就是將電荷從G極抽出使得MOS關斷，拉灌電流的力度決定了MOS開通的程度。
MOS管極間電容示意圖
對驅(qū)動芯片進行選型時， 需要格外注意將驅(qū)動芯片拉灌電流能力值與MOS管的參數(shù)相匹配，如果不匹配將會出現(xiàn)俗稱為“帶不動”的情況。
那么這一值具體應該怎么匹配呢？以IRLB4030和IR2101S為例進行計算：
這之中用到了MOS管的反向恢復電荷Qrr，IRLB4030的恢復電荷在125攝氏度時為130nC，我們?nèi)?50nC，假設電機控制PWM波的頻率為10KHz，即周期為100us，假設PWM電壓從零到最大值的階躍時間為1us，那么MOS管需要的電流值為：
I=Q/T&=150nC/1us=150mA
那也就是說驅(qū)動芯片拉灌電流值應該至少達到150mA才能帶的動IRLB4030，IR2101S的拉灌電流值在130mA到270mA之間，基本符合條件，因此這兩款驅(qū)動芯片和MOS管的匹配使用是合理的。
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