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      6. MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點介紹
        • 發(fā)布時間:2022-11-28 17:30:34
        • 來源:
        • 閱讀次數(shù):
        MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點介紹
        N溝道和P溝道MOS管區(qū)別
        N溝道 P溝道 MOS管
        1、芯片材質(zhì)不同
        雖然芯片都是硅基,但是摻雜的材質(zhì)是不同,使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝道;P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。具體原理可以參考一些教科書,屬于工藝方面的問題。
        2、同等參數(shù)P溝道MOS管價格更高
        (1)N溝道MOS管芯片成本低于P溝道。
        N溝道MOS管通過電子形成電流溝道,當MOS管被激活和導通時,電子通過電流移動,速度較P溝道MOS管速度快。
        在相同的RDS(on)情況下,載流子的遷移率約為P溝道MOS管的2到3倍,而要實現(xiàn)相同的電流,P溝道芯片尺寸就要設計成N溝道MOS管的2到3倍大。
        因此從制造成本上,N溝道MOS管就要低于P溝道MOS管。因此,大電流應用通常首選N溝道的MOS管。
        (2)量產(chǎn)規(guī)模上N溝道成本更低。
        由于N溝道MOS管的優(yōu)勢,使得它作為首選,能夠大規(guī)模產(chǎn)出和應用,大規(guī)模量產(chǎn)后產(chǎn)品的價格更具優(yōu)勢。
        (3)價格競爭更激烈。
        N溝道MOS管型號參數(shù),發(fā)展比較充分,各家品牌競爭激烈,價格也更透明。
        (4)P溝道存在的意義
        既生N何生P?P溝道MOS管為何還存在?
        P溝道MOS管是用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道MOS管中的電子流。P溝道MOS管需要從柵極到源極的負電壓(VGS)才能導通,而N溝道MOS管則需要正VGS電壓。使得P溝道MOS管成為高邊開關的理想器件。
        有助簡化電路設計、減少體積,實現(xiàn)低壓驅(qū)動。由于它能夠簡化柵極驅(qū)動技術,在一些使用場景中,對于整體成本而言,反而起到降低成本的效果。
        所有P溝道產(chǎn)品雖貴,但能簡化電路設計,有益于實現(xiàn)功能且整體降低成本。
        3、應用不同
        N管:當一個MOS管接地,負載連接到干線電壓上時,這個MOS管就構成低壓側(cè)開關。這時就要采用N溝道MOS管,這是出于對關閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。
        P管:當MOS管連接到總線及負載接地時,就要用高壓側(cè)開關。這就要采用P溝道MOS管,這是考慮到電壓驅(qū)動的原因。
        4、使用時識別標示不同
        實際應用時,MOS管包括:N管、P管、雙N管、雙P管、N+P管。
        識別方法包括:
        (1)型號末尾數(shù)字奇偶不同。型號末尾數(shù)字,一般奇數(shù)是P管,偶數(shù)是N管,例如常見的2300為N管,2301為P管,4406為N管,4407為P管。
        (2)規(guī)格書的標題,一般有寫N-Channel、P-Channel等。
        (3)電氣符號的箭頭方向不同,N管箭頭指向柵極,P管相反,如果有多個柵極數(shù)量則需要注意看每個箭頭的方向。
        (4)規(guī)格書的VDS正負不同,正數(shù)為N或雙N,負數(shù)為P或雙P,一正一負為N+P
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