光耦合器亦稱光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。內(nèi)部原理如下圖所示：
簡易的說明原理：通過將傳輸?shù)男盘柾ㄟ^左側(cè)的發(fā)光二極管轉(zhuǎn)化為光信號，再由右側(cè)光敏三極管將光信號轉(zhuǎn)換為電信號。此處探究的是普通光耦（低速，非線性；是的，也就是最便宜的那種），一般的光耦隔離電壓約為6KV，也就是對于靜電的抵抗能力（8KV及以上）不強，使用的時候還是需要考慮靜電相關(guān)的保護措施。
調(diào)節(jié)光耦的上下拉電阻可以對光耦的電流轉(zhuǎn)換率（CTR）的進行適配，在保證信號傳輸?shù)臅r候有足夠的CTR比率，保證三極管側(cè)的電平能拉到底。在此基礎上我們來看前后匹配電阻對信號傳輸?shù)难舆t情況。
*CTR：光耦二極管導通的時候，三極管側(cè)流過的最大電流與二極管導通電流的比值（百分比）。
以下是使用光耦通訊的最基礎的電路：
可以看到如上圖所示的光耦，輸入側(cè)和輸出側(cè)采用的上拉電阻為510Ω，這對于使用這款光耦通訊來說是一個適合的阻值，不同的光耦存在著新能差異不能說所有的都適用。但是采用上圖所示電路有一個問題，如下圖所示：
黃色的為輸入波形，綠色為輸出波形，是的從時序上看輸出波形相對輸入延時了20us，這在對信號要求不高的場景是可以的。但是對于通訊速率大于9600bps的通訊受到信號完整性的影響。這其中的原因是光耦內(nèi)部
的三極管等效為電容，和上拉電阻構(gòu)成了RC電路，這部分延遲就是源自于RC的充電效應（或者說是用來**光耦內(nèi)部三極管）。如上圖所示，100us的信號經(jīng)過光耦后變?yōu)榧s為80us的信號，這是值得考慮的，尤其是
信號的速率進一步提高的情況下，尤其是嵌入式領(lǐng)域MCU對于高電平的信號采集有一定的時間需求。通過變化光耦前后端的電阻，再測算輸出延遲時間，有以下結(jié)論*：
在一定范圍內(nèi)（光耦不燒毀），增大光耦二極管側(cè)的電阻、或者減小三極管側(cè)的上拉電阻都能使的輸出波形的延遲減小。
那么有沒有別的方式能夠使得普通光耦擺脫上拉電阻下拉電阻的困擾？
有的，如下圖，那就是使用光耦控制的三極管的通斷，將上拉電阻降至100Ω左右，基本上此時的通訊能夠保證2us內(nèi)的延遲。
2us的延遲基本上已經(jīng)接近高速光耦的狀態(tài)了。
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