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      6. MOS管死區(qū)時(shí)間的分析,設(shè)置詳解
        • 發(fā)布時(shí)間:2021-08-16 19:06:26
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        MOS管死區(qū)時(shí)間的分析,設(shè)置詳解
        出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容?,F(xiàn)在在柵極加上一個(gè)門(mén)電路。當(dāng)門(mén)電路輸出的信號(hào)跳變的瞬間,電流是非常大的,會(huì)導(dǎo)致MOS管發(fā)熱,所以需要在門(mén)電路后面再串聯(lián)一個(gè)電阻,這個(gè)電阻很小,一般在10Ω左右。
        MOS管死區(qū)時(shí)間
        圖中電容畫(huà)出來(lái)只是方便理解,實(shí)際是隱藏在MOS管中的
        假設(shè)門(mén)電路的輸出為方波,RC電路的充放電波形如下:
        MOS管死區(qū)時(shí)間
        當(dāng)輸入從低電平跳變?yōu)楦唠娖綍r(shí):電壓不能突變,而在MOS管柵極電壓從0增加到Vm的過(guò)程中,MOS管在放大區(qū),處于半導(dǎo)通狀態(tài),直到電壓增加到Vm后,MOS管完全飽和導(dǎo)通。而從高電平跳變?yōu)榈碗娖綍r(shí)與之類(lèi)似。
        現(xiàn)在來(lái)看推挽輸出電路,按理說(shuō),上面的MOS管導(dǎo)通,下面的MOS管就截止;下面的MOS管截止,上面的MOS管導(dǎo)通。電路大概為:
        MOS管死區(qū)時(shí)間
        但是RC充放電電路的充電和放電時(shí)間是不一樣的,這樣問(wèn)題就大了!此時(shí)若輸入信號(hào)從1變?yōu)?,上面MOS的RC電路放電,下面的MOS管的RC電路充電,則當(dāng)上面MOS管還沒(méi)放完電,處于半導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),而下面的MOS管雖然也還沒(méi)充完電,但也處于半導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)兩個(gè)MOS管就會(huì)同時(shí)導(dǎo)通,這是我們不想看到的。
        所以在電平翻轉(zhuǎn)時(shí),讓原先導(dǎo)通的MOS管的結(jié)電容先開(kāi)始放電,然后延時(shí)一段死區(qū)時(shí)間,再讓另一個(gè)MOS管的結(jié)電容開(kāi)始充電。
        當(dāng)然我們也要保證兩個(gè)MOS管的型號(hào)是一樣的,否則其充放電時(shí)間不一致,肯定會(huì)出問(wèn)題。
        MOS管死區(qū)時(shí)間
        但是由于這個(gè)延時(shí),兩個(gè)MOS管又有一段時(shí)間是同時(shí)斷開(kāi)的。此時(shí)上面MOS管的源極和下面MOS管的漏極連通,這一瞬間會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)毛刺信號(hào)。所以死區(qū)時(shí)間應(yīng)該調(diào)的足夠合適,讓其正好交替導(dǎo)通。
        經(jīng)驗(yàn)之談
        實(shí)際應(yīng)用時(shí)測(cè)試死區(qū)時(shí)間,應(yīng)該將示波器接到輸出端,根據(jù)這個(gè)毛刺信號(hào)的時(shí)間調(diào)延時(shí)時(shí)間。但調(diào)的過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)MOS管短路,爆炸。
        這里將經(jīng)驗(yàn)分享給大家:先在上面MOS管的漏極和VCC之間接一個(gè)電流表,再把死區(qū)時(shí)間調(diào)到芯片允許的最大值,保證兩個(gè)MOS管的輸出,然后不斷縮小死區(qū)時(shí)間,邊調(diào)邊看電流,一開(kāi)始電流幾乎不變,而當(dāng)死區(qū)時(shí)間縮小到某一個(gè)值時(shí),兩個(gè)MOS管接近同時(shí)導(dǎo)通,此時(shí)電流會(huì)迅速增大,在電流基本不變突然開(kāi)始迅速增大時(shí),此時(shí)設(shè)置的死區(qū)時(shí)間即為最佳死區(qū)時(shí)間。
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