1.MOS管的導(dǎo)通過(guò)程和損耗分析： MOS管導(dǎo)通過(guò)程

MOS管和三極管的特性曲線(xiàn)分別如圖1和圖2所示，它們各自區(qū)間的命名有所不同，其中MOS管的飽和區(qū)也稱(chēng)為恒流區(qū)、放大區(qū)。其中一個(gè)主要的不同點(diǎn)在于MOS管有個(gè)可變電阻區(qū)，而三極管則是飽和區(qū)，沒(méi)有可變電阻區(qū)的說(shuō)法。

從圖中也能明顯看出，MOS管在可變電阻區(qū)內(nèi)，Vgs一定時(shí)，Id和Vds近似為線(xiàn)性關(guān)系，不同Vgs值對(duì)應(yīng)不同的曲線(xiàn)斜率，即漏極D和源極S之間的電阻值Rds受控于Vgs；而三極管在飽和區(qū)內(nèi)，不同Ib值的曲線(xiàn)都重合在一起，即曲線(xiàn)斜率相同，阻值相同。

MOS管導(dǎo)通過(guò)程中的各電壓電流曲線(xiàn)如圖3所示，其中Vgs曲線(xiàn)有著名(臭名昭著)的米勒平臺(tái)，即Vgs在某段時(shí)間(t3-t2)內(nèi)保持不變。

我們知道MOS管是壓控器件，不同于三極管是流控器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過(guò)程也是需要電流（電荷）的，原因是因?yàn)镸OS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs和Cds，如圖4所示。

MOS管導(dǎo)通條件是Vgs電壓至少達(dá)到閾值電壓Vgs(th)，其通過(guò)柵極電荷對(duì)Cgs電容充電實(shí)現(xiàn)，當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通后就不需要提供電流了，即壓控的意思。

這三個(gè)寄生電容參數(shù)值在MOS管的規(guī)格書(shū)中一般是以Ciss，Coss和Crss形式給出，其對(duì)應(yīng)關(guān)系為：Cgd=Crss；Cds=Coss-Crss；Cgs=Ciss-Crss。

2.MOS管的導(dǎo)通過(guò)程和損耗分析： MOS管損耗

MOS管損耗主要有開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，關(guān)注參數(shù)Cgd(Crss)）、柵極驅(qū)動(dòng)損耗（關(guān)注參數(shù)Qg）和導(dǎo)通損耗(關(guān)注參數(shù)Rds(on))等。以如圖10所示的同步BUCK拓?fù)錇槔M(jìn)行說(shuō)明，由于高側(cè)的開(kāi)關(guān)管Q1和低側(cè)的同步管Q2組成一個(gè)半橋結(jié)構(gòu)，為了防止兩個(gè)MOS管同時(shí)導(dǎo)通而使輸入回路短路，因此兩個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)存在一個(gè)死區(qū)時(shí)間，即兩個(gè)MOS管都關(guān)斷。

在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，由于電感的電流不能突變，因此同步管Q2的寄生體二極管將率先導(dǎo)通進(jìn)行續(xù)流。正是由于體二極管導(dǎo)通后，同步管Q2才被驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通，在忽略二極管壓降的情況下，同步管Q2導(dǎo)通時(shí)兩端電壓為0，可以看作是0電壓導(dǎo)通；同步管Q2導(dǎo)通后，其兩端電壓為0直至關(guān)斷，因此也是0電壓關(guān)斷。

因此，同步管Q2基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗，這意味著對(duì)于同步管的選取，功耗主要取決于與導(dǎo)通電阻RDS(on)相關(guān)的導(dǎo)通損耗，而開(kāi)關(guān)損耗可以忽略不計(jì)，因此不必考慮柵極電荷Qg。而高側(cè)的開(kāi)關(guān)管Q1由于開(kāi)通和關(guān)閉時(shí)都不是0電壓，因此要基于導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗綜合來(lái)考慮。

所謂開(kāi)關(guān)損耗是指MOS管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，電壓和電流不為0，存在功率損耗。由前述MOS管導(dǎo)通過(guò)程可知，開(kāi)關(guān)損耗主要集中在t1~t3時(shí)間段內(nèi)。而米勒平臺(tái)時(shí)間和MOS管寄生電容Crss成正比，其在MOS管的開(kāi)關(guān)損耗中所占比例最大，因此米勒電容Crss及所對(duì)應(yīng)的Qgd在MOS管的開(kāi)關(guān)損耗中起主導(dǎo)作用。

因此對(duì)于MOS管的選型，不僅需要考慮柵極電荷Qg和柵極電阻Rg，也需要同時(shí)考慮Crss(Cgd)的大小，其同時(shí)也會(huì)在規(guī)格書(shū)的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf參數(shù)上有間接反映，MOS管的關(guān)鍵參數(shù)如圖11所示。

MOS管的各種損耗可以通過(guò)以下公式近似估算：

系數(shù)0.5是因?yàn)閷OS管導(dǎo)通曲線(xiàn)看成是近似線(xiàn)性，折算成面積功率，系數(shù)就是0.5；Vin是輸入電壓，Io是輸出電流；tr和tf是MOS管的上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別指的是漏源電壓從90%下降到10%和漏源電壓從10%上升到90%的時(shí)間，可以近似看作米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間，即圖3中的(t3-t2)。另外，規(guī)格書(shū)中的td(on)和td(off)可以近似看作是Vgs電壓從0開(kāi)始上升到米勒平臺(tái)電壓的時(shí)間，即圖3中的t2。
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