MOS晶體管的最高頻率
MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻率的增高而變壞。
MOS管的最高頻率,大家知道,MOS晶體管的溝道區(qū)隔著絕緣的氧化層,在這一氧化層上面覆蓋者金屬柵電極,于是就形成了以氧化物為介質(zhì)的平板電容器，稱為柵電容,用符號(hào)Cg表示。
如果在某一時(shí)刻輸入信號(hào)的變化使Vg增加時(shí),溝道中感生的載流子將增多。這些感生載流子的增多過程也就是柵電容的充電過程。充電是通過MOS管的通導(dǎo)電阻Ron進(jìn)行的,其充電時(shí)間常數(shù)為t=RonCg;而當(dāng)Vg減小時(shí),Cg就要通過Ron放電。
當(dāng)輸入信號(hào)的周期比柵電容通過Ron充放電的時(shí)間常數(shù)長很多時(shí)(低頻情況),柵電容的充放電過程就進(jìn)行得很充分,輸出信號(hào)就完全能夠跟上輸入信號(hào)的變化。這時(shí),MOS晶體管的放大性能將不會(huì)受到影響。
但是，當(dāng)輸入信號(hào)的周期比柵電容充放電的時(shí)間常數(shù)還小，也就是輸入信號(hào)的角頻率ω比MOS管的固有頻率高時(shí),即ω> 1/RonCg。這樣,柵電容的充放電過程就進(jìn)行得不夠充分,輸出信號(hào)就不能完全跟上輸入信號(hào)的變化。此時(shí),MOS晶體管的放大特性就要變壞。
從(1-69)式中看到,MOS管的最高頻率,與溝道長度的平方成反比?？梢?要提高M(jìn)OS管的最高頻率,溝道長度L就必須設(shè)計(jì)得短一點(diǎn)。另外fm與μ成正比。由于電子遷移率比空穴遷移率大,所以在其它條件相同的情況下，N溝道MOS晶體管的高頻性能要比P型溝道MOS晶體管要好。
為了對(duì)fm有一個(gè)定量的概念，下面舉一個(gè)例子。
這是一個(gè)頻率相當(dāng)高的器件。實(shí)際上，在MOS電路里的晶體管,其最高頻率最少也要低2~3個(gè)數(shù)量級(jí)。這是因?yàn)榇嬖谠S多寄生電容。
其中有金屬柵與源極擴(kuò)散區(qū)交疊造成的柵源覆蓋電容Cgs(還包括引線間的分布電容)、柵和漏之間的附加寄生電容Cgd；另外還有漏極與P型基片間的PN結(jié)電容和其他寄生電容，將構(gòu)成漏和源間的附加寄生電容Cds。這些電容附加到MOS晶體管之上(如圖1-34),將使器件頻率特性進(jìn)一步變壞。
在MOS集成電路里,除了MOS晶體管的電容外,還有其他一些寄生電容,在電路中起很大作用。這是MOS集成電路速度低的原因所在。圖1-35表示MOS集成電路中各類寄生電容示意圖,其中:
晶體管參數(shù)-頻率特性
晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會(huì)出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。
1．特征頻率fT：晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時(shí)，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時(shí)晶體管的工作頻率。
通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。
2．最高振蕩頻率fM：最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。
通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。
MOS晶體管的最高工作頻率
MOS晶體管的最高工作頻率被定義為：當(dāng)對(duì)柵極輸入電容Cgc的充放電電流和漏源交流電流的數(shù)值相等時(shí)，所對(duì)應(yīng)的工作頻率為mos晶體管的最高工作頻率。
這是因?yàn)楫?dāng)柵源間輸入交流信號(hào)時(shí)，由源極增加(減少)流入的電子流，一部分通過溝道對(duì)電容充(放)電，一部分經(jīng)過溝道流向漏極，形成漏源電流的增量。因此，當(dāng)變化的電流全部用于對(duì)溝道電容充放電時(shí)，晶體管也就失去了放大能力。
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