今天給大家推一篇關于FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區(qū)別！
FET，場效應晶體管，F(xiàn)ield Effect Transistor，簡單理解就是個水管閥門。
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FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;
柵極（Gate），是個門，閥門，打開FET，電子就流動，關上閥門，電子就不流動。
漏極（Drain），電子流出FET；
電子是負電荷，所以，是從GND流到Vcc的
MOSFET，Y2T149聊到MOS是個電容，MOSFET叫做金屬-氧化物半導體場效應晶體管
（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
是現(xiàn)在數(shù)字半導體芯片常用的結構：
MESFET金屬半導體場效應晶體管Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect
Transistor，用在第一代模擬或者射頻電路上。
MODFET調制摻雜場效應晶體管Modulation Doped Field Effect Transistor,MODFET
MOSFET、與MODFET/MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制；
MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導體（電容）做柵極；
MODFET/MESFET是用金屬-半導體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。
MOS相當于塑料閥門頭，MES/MOD是銅閥門頭
那MESFET和MODFET的區(qū)別
MODFET有異質結，形成一個二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,
2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動，而在第三維上受到限制的現(xiàn)象。
小結：
FET 就是水管子閥門
MOSFET 是塑料閥門
MESFET是銅閥門
MODFET不光是銅閥門，還用了陶瓷閥芯
MESFET截止頻率比MOSFET高三倍
MODFET截止頻率比MESFET高30%
學術解釋：
所有場效應晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時存在一線性區(qū)。偏壓變大時，輸出電流最終達到飽和；電壓足夠高時，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。根據(jù)閾值電壓的正或負，場效應晶體管可分為增強型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬?半導體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結構。使用肖持基勢壘作為柵極、兩個歐姆接觸作為源極與漏極。
MODFET器件高頻性能更好。器件結構上除柵極下方的異質結外，大體上與MESFET相似。異質結界面上形成二維電子氣(亦即可傳導的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過溝道由源極漂移到漏極。
截止頻率fT是場效應晶體管的一個高頻指標。在給定長度時，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。
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