MOS管也有N溝道和P溝道之分，并且每一類又分為增強型和耗盡型兩種，二者的差別是增強型MOS管在柵-源電壓vGS=0時，漏-源極之間沒有MOS管跨導電溝道存在，縱然加上電壓vDS（在一定的數(shù)字范圍內(nèi)），也沒有漏極電小產(chǎn)生（iD=0）。 在一塊夾雜液體濃度較低的P型硅襯底上，用光刻、廓張工藝制造兩個高夾雜液體濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，道別作漏極d和源極s。顯然它的柵極與其他電極間是絕緣的。并且，由于它的輸入電阻是PN結的反偏電阻，在高溫前提下辦公時，PN結逆向電流增大，反偏電阻的阻值表面化減退。
結型場效應管的輸入電阻雖然可達106～109W，但在要求輸入電阻更高的場合，仍舊不可以滿足要求。與結型場效應管不一樣，金屬-氧氣化物-半導體場效應管（MOSFET）的柵極與半導體之距離有二氧氣化硅（SiO2）絕緣媒介，使柵極處于絕緣狀況（故又叫作絕緣柵場效應管），故而它的輸入電阻可高達1015W。而耗盡型MOS管在vGS=0時，漏-源極間就有導電溝道存在。
N溝道金屬-氧氣化物-半導體場效應管(MOS管)的結構及辦公原理：
N溝道m(xù)os管結構和工作原理。
P溝道加強型MOS管的箭頭方向與上面所說的相反。額外在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。它的另一個優(yōu)點是制作工藝簡樸，適于制作大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。而后在半導體外表復蓋一層很薄的二氧氣化硅(SiO2)絕緣層，在漏-源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。
例1N溝道加強型場效應管結構
例2N溝道加強型MOS管代表符號
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