mos管除了G、S、D引腳和N溝道m(xù)os管和P溝道m(xù)os管之外還有很多具體的參數(shù)，每個詳細參數(shù)如下：
Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs----------------最大GS電壓.一般為：-40V~+40V
Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg---------------最大存儲溫度
Iar-----------------雪崩電流
Ear---------------重復雪崩擊穿能量
Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss------------DS擊穿電壓
Idss---------------飽和DS電流，uA級的電流
Igss---------------GS驅動電流，nA級的電流.
gfs----------------跨導
Qg----------------G總充電電量
Qgs--------------GS充電電量
Qgd-------------GD充電電量
Td(on)---------導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr----------------上升時間，輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
Td(off)----------關斷延遲時間，輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間
Tf-----------------下降時間，輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間
Ciss---------------輸入電容，Ciss=Cgd+Cgs.
Coss--------------輸出電容，Coss=Cds+Cgd.
Crss---------------反向傳輸電容，Crss=Cgc.
了解完mos管每個參數(shù)就知道如何選擇適合mos管型號，型號選擇請參考《mos管封裝參數(shù)表》更可以直接下載對應型號的PDF規(guī)格書技術文檔。
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