(1)場效應管的根本參數(shù)
①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結型場效應管或耗盡型絕緣柵型場效應管源極接地的狀況下，能使其漏源輸出電流減小到零時所需的柵源電壓UGs。
②開啟電壓UT 也稱閥電壓，是加強型絕緣柵型場效應管在漏源電壓UDS為-‘定值時，能使其漏、源極開端導通的最小柵源電壓UGS。
③飽和漏電流IDSS 是耗盡型場效應管在零偏壓（即柵源電壓UGS為零）、漏源電壓UDS大于夾斷電壓UP時的漏極電流。
④擊穿電壓BUDS和BUGS
a．漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當場效應管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時，使漏極電流ID忽然增大且不受柵極電壓控制時的最大漏源電壓。
b．柵源擊穿電壓BUGS。是場效應管的柵、源極之間能接受的最大工作電壓。
⑤耗散功率PD 也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。
⑥漏泄電流ICSS 是場效應管的柵—溝道結施加反向偏壓時產生的反向電流。
⑦直流輸入電阻RGS 也稱柵源絕緣電阻，是場效應管柵溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的比值。
⑧漏源動態(tài)電阻RDS 是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，普通為數(shù)千歐以上。
⑨低頻跨導gm 也稱放大特性，是柵極電壓UG對漏極電流ID的控制才能，相似于三極管的電放逐大倍數(shù)β值。
⑩極間電容 是場效應管各極之間散布電容構成的雜散電容。柵源極電容（輸入電容）CGS和柵漏極電容CGD的電容量為1~3pF，漏源極電容CDS的電容量為o．1~lpF。
(2)常用場效應管的主要參數(shù)
局部結型場效應晶體管的主要參數(shù)見表3-9。局部N溝道耗盡型MOS場效應晶體管的主要參數(shù)見表3-10。局部加強型MOS場效應晶體管的主要參數(shù)見表3-11。
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